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IV1Q12080T4Z 瞻芯电子
IV1Q12080T4Z – 1200V 80mΩ SiC MOSFET特点· 高压、低导通电阻· 高速、寄生电容小·高工作结温· 快速恢复体二极管· 开尔文连接驱动·AEC-Q101 认证通过应用·车载充电器· 车载压缩机逆变器· 车载 DC/DC 变换器· 光伏逆变器· 开关电源封装示意图:TO247-4瞻芯电
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2024-10-19 |
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IV2Q12080T4Z
IV2Q12080T4Z – 1200V 80mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技术与+15V+18V门驱动器·高阻塞电压与低电阻·高速开关与低电容·175℃操作结温度能力·超快和健壮的固有身体二极管·开尔文门输入放松驱动电路设计·AEC-Q101合格应用·电动汽车充电
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2024-10-16 |
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IV3Q12013T4Z
IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET特性·第三代碳化硅MOSFET技术与+15+18V门驱动·高阻塞电压低电阻·高速开关低电容·高操作结温度能力·非常快，健壮和软恢复固有身体二极管·开尔文门输入缓解驱动电路设计·AEC-Q101合格应用·电动汽车电机驱
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2024-10-16 |
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IV1Q12080T4Z
IV1Q12080T4Z–1200V 80mΩ SiC MOSFET特点· 高压、低导通电阻· 高速、寄生电容小·高工作结温· 快速恢复体二极管· 开尔文连接驱动·AEC-Q101 认证通过应用·车载充电器· 车载压缩机逆变器· 车载 DC/DC 变换器· 光伏逆变器· 开关电源封装示意图:TO247-4瞻芯电子
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2024-10-10 |
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IV2Q12017T4Z
IV2Q12080T4Z – 1200V 80mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET特性·第二代碳化硅MOSFET技术与+15V+18V门驱动器·高阻塞电压与低电阻·高速开关与低电容·175℃操作结温度能力·超快和健壮的固有身体二极管·开尔文门输入放松驱动电路设计·AEC-Q101合格应用·电动汽车充电
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2024-10-10 |
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